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（1)对驱动电路的要求

①IGBT是电压驱动的，具有一个2.5~5.0V的阀值电压，有一个容性输入阻抗，因此IGBT对栅极电荷非常敏感，故驱动电路必须很可靠，保证有一条低阻抗值的放电回路，即驱动电路与IGBT的连线要尽量短。

②用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压UCE有足够陡的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。另外，IGBT开通后，栅极驱动源应能提供足够的功率，使IGBT不退出饱和而损坏。

③驱动电路中的正偏压应为+12~+15V，负偏压应为-2~-10V。

④IGBT多用于高压场合，故驱动电路应整个控制电路在电位上严格隔离。

⑤驱动电路应尽可能简单实用，具有对IGBT的自保护功能，并有较强的抗干扰能力。

⑥若为大电感负载，IGBT的关断时间不宜过短，以限制di/dt所形成的尖峰电压，保证IGBT的安全。

（2)驱动电路

因为IGBT的输入特性几乎与MOSFET相同，所以用于MOSFET的驱动电路同样可以用于IGBT。

在用于驱动电动机的逆变器电路中，为使IGBT能够稳定工作，要求IGBT的驱动电路采用正负偏压双电源的工作方式。

为了使驱动电路与信号电隔离，应采用抗噪声能力强，信号传输时间端的光耦合器件。

基极和发射极的引线应尽量短，基极驱动电路的输入线应为绞合线

为抑制输入信号的振荡现象，基极和发射极并联一阻尼网络。

驱动电路的输出级采用互补电路的形式以降低驱动源的内阻，同时加速IGBT的关断过程。

IGBT基极驱动电路

（a）阻尼滤波                  （b) 光电隔离

（3)集成化驱动电路

IGBT有与其配套的集成驱动电路。

这些专用驱动电路抗干扰能力强，集成化程度高，速度快，保护功能完善，可实现IGBT的Zui优驱动。

因为IGBT保护主要是栅源过电压保护、静电保护、采用R-C-VD缓冲电路等等。

在IGBT电控系统中设置过压、欠压、过流和过热保护单元，以保证安全可靠工作。

必须保证IGBT不发生擎住效应；具体做法是，实际中IGBT使用的Zui大电流不超过其额定电流。

1）缓冲电路

几种用于IGBT桥臂的典型缓冲电路。

         （a)        （ b)        （c)

a)图是Zui简单的单电容电路，适用于50A以下的小容量IGBT模块，由于电路无阻尼组件，易产生LC振荡，故应选择无感电容或串入阻尼电阻RS；

b)图是将RCD缓冲电路用于双桥臂的IGBT模块上，适用于200A以下的中等容量IGBT；

c)图中，将两个RCD缓冲电路分别用在两个桥臂上，该电路将电容上过冲的能量部分送回电源，因此损耗较小，广泛应用于200A以上的大容量IGBT。

（2）IGBT的保护

过电流保护措施主要是检测出过电流信号后迅速切断栅极控制信号来关断IGBT。

实际使用中，要求在检测到过电流后，通过控制电路产生负的栅极驱动信号来关断IGBT。只要IGBT的额定参数选择合理，10内的过电流一般不会使之损坏。

采用集电极电压识别方法的过流保护电路。

为了避免IGBT过电流的时间超过允许的短路过电流时间，保护电路应当采用快速光耦合器等快速传送组件及电路。

检测发射极电流过流的保护电路。